A Micron anunciou seus SSDs 6500 ION NVMe e XTR NVMe hoje, com ambas as unidades projetadas especificamente para cargas de trabalho e casos de uso que residem em extremos opostos do espectro de SSD de data center. O SSD Micron 6500 ION NVMe foi projetado para aplicativos de capacidade ultra-alta – está disponível apenas em um ponto de capacidade de 30,72 TB – para oferecer uma combinação econômica de desempenho e resistência por meio do uso de TLC NAND de 232 camadas de ponta . O 6500 ION é o primeiro SSD de data center a usar flash de mais de 200 camadas, que a Micron diz oferecer a economia do flash QLC, mas nenhuma das outras desvantagens inerentes do QLC, como desempenho e resistência reduzidos. O desempenho do ION também é impressionante, com até 6,8/5 GB/s de taxa de transferência sequencial de leitura/gravação e até 1 milhão/200.000 IOPS de leitura aleatória.
No extremo oposto do espectro, o muito menos espaçoso Micron XTR vem apenas em capacidades de 960 GB e 1,92 TB. O XTR foi projetado para ambientes de gravação extremos com uma classificação de resistência impressionante de até 35 gravações de unidade aleatória por dia (DWPD), otimizando-o como um destino de gravação para aplicativos de alta intensidade. O XTR é bastante rápido em trabalho sequencial, com até 6,8 / 5,6 GB/s de taxa de transferência de leitura/gravação, mas realmente se destaca em pesadas cargas de trabalho aleatórias de 4K, nas quais oferece até 900.000 / 350.000 IOPS de leitura/gravação aleatória de 4K.
A Micron geralmente espera que seu flash de ponta amadureça, o que confere benefícios de resistência e desempenho, antes de usá-lo para SSDs de data center. Desta vez, em vez de esperar, a Micron forjou seu 6500 ION com seu flash de 232 camadas de ponta, permitindo assim a entrega de SSDs de alta capacidade que são mais duradouros e mais rápidos do que os SSDs QLC. Por exemplo, o concorrente Solidigm D5-P5316 também vem com um ponto de capacidade de 30,72 TB, mas usa flash QLC de 144 camadas de menor resistência. Essas duas unidades têm capacidade comparável, mas mercados-alvo diferentes – o P5316 foi projetado para cargas de trabalho centradas na leitura, enquanto o 6500 ION tem resistência suficiente para atender cargas de trabalho de uso geral. No entanto, a Micron diz que o 6500 ION estará disponível a um preço semelhante ao P5316, tornando-o a comparação mais lógica.
O flash QLC só recentemente começou a fazer incursões no data center, mas o SSD P5316 de ponta da Solidigm acomoda a menor resistência do flash subjacente e reduz a quantidade necessária de capacidade DRAM usando uma camada de indireção de 64K, que pode penalizar significativamente a resistência e desempenho se os dados gravados na unidade não estiverem alinhados com unidades de 64K. Como tal, as unidades Solidigm QLC exigem sistemas operacionais e pilhas de software personalizados para 64K para extrair o melhor desempenho e resistência.
Fora dos grandes hiperescaladores, não há muitos data centers corporativos ou de uso geral que tenham controle rígido o suficiente das várias pilhas de aplicativos e software para dar suporte a um alinhamento de 64K. Por outro lado, o TLC de maior resistência usado no 6500 ION permite que a Micron use uma camada de indireção 4K padrão amplamente suportada pela maioria dos aplicativos, de modo que a unidade não exija tanto manuseio para garantir desempenho e resistência.
Linha 0 – Célula 0 | Micron 6500 ION | Solidigm D5-P5316 |
Leitura/Gravação Sequencial | 6,8 / 5,0 GB/s | 7/3,6 GB/s |
Leitura/gravação aleatória | 1 milhão / 200.000 | 800.000 / 7.800 (4K), 510MB/s (64K) |
O 6500 ION vem no fator de forma U.3 de 15 mm e como uma ‘régua’ E1.L de 19 mm. O 6500 ION atinge 6,8 GB/s em cargas de trabalho de leitura sequencial, mas a unidade Solidigm otimizada para leitura atinge 7 GB/s. O uso do flash TLC pela Micron permite que ele forneça mais desempenho em cargas de trabalho sequenciais, com seus 5,8 GB/s de taxa de transferência sequencial superando os 3.600 MB/s do P5316. O 6500 ION também lidera com 1 milhão de IOPS de leitura aleatória de 4K em comparação com os 800.000 IOPS do P5316.
A maior diferença entre as unidades reside no desempenho de gravação aleatória. A Micron afirma que os 200.000 IOPS aleatórios de gravação em 4K do 6500 ION são 30 vezes mais rápidos do que o desempenho de gravação aleatória do P5316, mas essa não é a melhor comparação – o P5316 foi projetado e comercializado especificamente para ambientes otimizados para 64K e não se destina a ser usado com cargas de trabalho pesadas de gravação aleatória de 4K. Em vez disso, a Solidigm classifica o P5316 em 510 MB/s de gravações aleatórias de 64K, e a Micron não publica uma métrica semelhante para o ION, portanto as comparações não são inteiramente de maçãs com maçãs.
O 6500 ION apresenta 1 DWDP (gravação de unidade por dia) de resistência em cargas de trabalho sequenciais e 0,3 DWPD em cargas de trabalho aleatórias. A Micron também destaca que tem 10 vezes a resistência da unidade Solidigm concorrente em cargas de trabalho de gravação aleatória de 4K, o que é verdade, visto que gravar um bloco de 4K na unidade otimizada para 64K aumenta tremendamente a amplificação da gravação. Mas, novamente, esta não é uma comparação totalmente simples: quando usado como pretendido, o P5316 de 30,72 TB oferece ~0,4 DWPD de resistência em cargas de trabalho aleatórias de 64K e ~1,9 DWPD de resistência em cargas de trabalho sequenciais. A desvantagem, é claro, é que esses valores só se aplicam a ambientes altamente especializados.
Em ambos os casos, a correspondência agressiva de preços da Micron destina-se a levar as duas unidades a um campo de jogo nivelado, onde pode aproveitar os benefícios de sua unidade de indireção 4K em comparação com a implementação de 64K do P5316. É claro que sempre consideramos as métricas fornecidas pelo fornecedor com cautela (estamos conduzindo nossos próprios testes). Ainda assim, como você pode ver nos slides acima, a Micron afirma que o 6500 ION oferece vantagens de desempenho tangíveis sobre o P5316 quando usado em cargas de trabalho de uso geral.
O 6500 ION oferece muitas vantagens sobre o P5316 de preço semelhante em ambientes de servidor padrão, e a facilidade de uso o torna atraente para data centers convencionais e cargas de trabalho corporativas. Naturalmente, esperamos que a Solidigm apresente em breve SSDs QLC mais recentes com melhores métricas de desempenho do que seu modelo existente, ao qual vincularemos quando ocorrer um anúncio.
O 6500 ION foi projetado para acomodar quase todas as cargas de trabalho de uso geral, mas sempre há aplicativos que exigem resistência de gravação mais pesada e desempenho de gravação aleatória mais rápido. É aí que entra o Micron XTR, concentrando-se em fornecer resistência suficiente para satisfazer cargas de trabalho pesadas de gravação, como armazenamento em cache e buffer de gravação (também para arrays totalmente flash), registro, diário e aplicativos OLTP.
No entanto, enquanto o Optane da Intel e o SSD FT6 alimentado por flash XL da Toshiba são voltados para desempenho de latência ultrabaixa e resistência incrível, o XTR não foi projetado para cargas de trabalho que exigem latência extremamente baixa – em vez disso, o foco é puramente aleatório escrever desempenho e resistência.
A mídia especializada usada em unidades como Optane e XL Flash requer linhas de produção dedicadas, enquanto o XTR usa o flash de 176 camadas testado e comprovado da Micron para garantir um fornecimento robusto. A Micron então programa o flash para funcionar exclusivamente no modo SLC, fornecendo assim até 35% da resistência do Optane, mas com 20% do custo. A unidade também consome 44% menos energia do que memórias de classe de armazenamento, como Optane.
As unidades vêm em capacidades de 960 GB e 1,92 TB, com o modelo maior oferecendo até 6,8 / 5,6 GB/s de taxa de transferência sequencial de leitura/gravação em conjunto com até 900.000 / 350.000 IOPS de leitura/gravação aleatória. São 150.000 IOPS de gravação aleatória a mais do que o próprio 6500 ION da Micron.
O XTR pode suportar até 60 DWPD de resistência em cargas de trabalho sequenciais e 35 DWPD de cargas de trabalho 4K aleatórias, superando facilmente qualquer SSD baseado em NAND concorrente. A Intel não está mais produzindo novas mídias Optane, então o mercado está maduro para uma unidade que pode atingir o segmento de alta resistência, e aqui o XTR parece bem posicionado para ganhar uma posição nos aplicativos de destino.
Naturalmente, uma unidade com capacidade máxima de 1,92 TB servirá apenas em casos de uso muito específicos, e a Micron posiciona isso como um buffer de gravação opcional para matrizes de seus SSDs da série 6000. Como você pode ver, o XTR e o 6500 ION se conectam diretamente ao restante da pilha SSD do data center da Micron, oferecendo a seus clientes uma ampla gama de opções em termos de cargas de trabalho de destino e fatores de forma.
Tanto o 6500 ION quanto o XTR estão sendo enviados para parceiros selecionados da Micron este mês, com disponibilidade mais ampla para outros no próximo mês.