Um funcionário da Apple no Linked In é supostamente a fonte de um novo relatório que afirma que a Apple começou a projetar chips que serão construídos usando o nó de processo de 2 nm da próxima geração da TSMC. Slides vazados publicados no site coreano gama0burst e postado através de um tweet em “X” por vazador Revegnus (através da MacRumores) o slide da Apple fortemente redigido refere-se a chips mais antigos de 5 nm, como o A15 Bionic, chips de 3 nm, como o A17 Pro, e um futuro chipset de 2 nm.
À medida que o nó do processo usado para construir um chip “diminui” em tamanho, os recursos do chip ficam menores, incluindo os transistores, permitindo que mais deles caibam dentro de um chip. Isso é importante porque quanto maior a contagem de transistores de um chip, mais poderoso e/ou eficiente em termos energéticos esse chip é. O iPhone 15 Pro e o iPhone 15 Pro Max são atualmente os únicos smartphones equipados com chip de 3 nm.
Slides fortemente redigidos mostram que a Apple está projetando chipsets de 2 nm
Ainda este ano, espera-se que a Apple use processadores de aplicativos (AP) de 3 nm para todos os quatro modelos do iPhone 16. O iPhone 16 e iPhone 16 Plus pode ser alimentado pelo AP A18 Bionic de 3nm enquanto o iPhone 16 Pro e o iPhone 16 Pro Max terão o A18 Pro AP mais capaz. Ambos os componentes serão construídos usando o nó N3E 3nm de segunda geração da TSMC.
A TSMC está supostamente planejando iniciar a produção de chips de 2 nm durante o segundo semestre de 2025, com a fundição produzindo chips de 1,4 nm em 2027. Espera-se que a Apple seja a primeira empresa a obter chips de 2 nm. Este último deve oferecer atualizações de desempenho de 10% a 15% com a mesma potência ou usar 25% a 30% menos energia rodando na mesma velocidade quando comparado aos chips de 3nm.
A Apple é o principal cliente da TSMC e é por isso que geralmente consegue ser a primeira a receber chips fabricados pela TSMC usando seu nó de processo mais recente. A Apple precisará fazer algumas mudanças no design para aproveitar as vantagens do nó de 2 nm da TSMC, que contará com transistores Gate-all-around (GAA) em vez dos transistores FinFET usados atualmente.
Usando nanofolhas horizontais colocadas verticalmente, os transistores GAA permitem que a porta cerque o canal em todos os quatro lados, reduzindo o vazamento de corrente e aumentando a corrente de acionamento. Isso resulta em sinais elétricos mais fortes entre os transistores, melhorando o desempenho do chip. Em dezembro, a TSMC exibiu um protótipo de chip de 2 nm para a Apple e a Nvidia.