Robert Heath Dennard, um pioneiro em engenharia elétrica e de computação que inventou a DRAM, faleceu em 23 de abril de 2024. Essa única invenção ajudou a tornar possíveis bilhões de smartphones, computadores e outros produtos eletrônicos de consumo. Ele também será lembrado pela teoria de Dennard Scaling, baseada na lei de Moore.
Dennard nasceu em 5 de setembro de 1932, em Terrell, Texas. Ele cresceu em uma fazenda sem eletricidade e estudou em uma escola de uma sala. Seu talento como trompista lhe rendeu uma bolsa de estudos na Southern Methodist University, onde estudou o campo nascente da engenharia elétrica.
Depois de se formar na SMU, Dennard continuou seus estudos para fazer doutorado em engenharia elétrica no Carnegie Institute of Technology, agora conhecido como Carnegie Mellon. Concluiu seu doutorado em 1958 e começou a trabalhar como pesquisador da IBM. Ele permaneceria lá pelo resto de sua longa e histórica carreira profissional.
Os circuitos integrados eram novos e excitantes, tendo acabado de ser demonstrados por um engenheiro da Texas Instruments. O foco principal do campo de pesquisa e da indústria era o avanço da memória e da lógica do computador, o que levou Dennard a se aprofundar nos projetos e aplicações do transistor de efeito de campo semicondutor de óxido metálico (MOSFET).
Frustrados com o tamanho e os requisitos de energia da RAM de núcleo magnético existente, Dennard e uma equipe de especialistas em microeletrônica desenvolveram um sistema alternativo em 1964 que exigia apenas seis transistores MOS para armazenar um bit de informação. Mesmo esse design era, segundo eles, muito complexo e lento.
Dennard então acendeu uma lâmpada em sua cabeça que revolucionaria a computação. Ele começou a pesquisar como poderia armazenar um pouco de informação em um transistor em vez de seis. Essa percepção, investigação e experimentação acabariam por levar à invenção da memória dinâmica de acesso aleatório (DRAM).
O inventor não parou na DRAM. Em 1972, Dennard delineou uma teoria que tem ajudado computadores e outros dispositivos eletrônicos a ficarem menores, mais rápidos e mais eficientes a cada ano. Esta teoria ficou conhecida como escala de Dennard, ou lei de Dennard, e resultou da lei de Moore.
A lei de Moore afirma que o número de transistores capazes de caber em um determinado espaço dobrará aproximadamente a cada dois anos. De acordo com a escala de Dennard, o desempenho de cada watt aumenta aproximadamente no mesmo ritmo. Assim, à medida que os transistores diminuem de tamanho, eles também requerem menos energia.
Ao longo de sua carreira de meio século, Dennard recebeu muitos prêmios e reconhecimentos. Ele foi declarado bolsista da IBM em 1979 e recebeu a Medalha Nacional de Tecnologia dos EUA do presidente Ronald Reagan em 1988. Em 1997, Dennard foi incluído no Hall da Fama dos Inventores Nacionais dos EUA e recebeu a Medalha de Honra do IEEE em 2009.
O inventor recebeu recentemente a mais alta honraria da indústria de semicondutores. Em 2019, a Semiconductor Industry Association reconheceu Dennard com o Prêmio Robert N. Noyce.
Dennard deixa sua esposa, Jane Bridges, e as filhas Amy e Holly Dennard. Ele também deixa quatro netos. Seu filho, Robert H. Dennard Jr., o precedeu na morte. A serviço memorial celebrando a vida de Dennard e legado está agendado para 7 de junho às 13h, horário do leste, em Yorktown Heights, Nova York.