A Samsung diz que reafirmou sua liderança em DRAM ao iniciar a produção em massa (abre em nova aba) DRAM DDR5 de 16 gigabits (Gb) a 12 nm. A gigante eletrônica sul-coreana afirma que os ICs de memória resultantes desse novo processo reduzem o consumo de energia em cerca de um quarto em relação à geração anterior e aumentarão a produtividade do wafer em até um quinto. Além disso, esses chips de memória de ponta terão uma velocidade máxima de pinos de 7,2 Gbps.
Discutindo o marco de fabricação, Jooyoung Lee, vice-presidente executivo de produtos e tecnologia DRAM da Samsung Electronics, disse que “usando tecnologia de processo diferenciada, a DDR5 DRAM de classe de 12nm líder do setor da Samsung oferece excelente desempenho e eficiência de energia”. No entanto, os usuários de PC terão que esperar pelo gotejamento, pois o primeiro uso desses ICs DDR5 de 12 nm será em aplicativos como data centers, inteligência artificial e computação de próxima geração.
A Samsung diz que o desenvolvimento da DRAM de classe 12nm foi possibilitado pelo “uso de um novo material high-K”. Mais detalhadamente, ele explica que o material da porta do transistor usado nesses CIs tem uma capacitância maior, tornando seu estado mais fácil de distinguir com precisão. Além disso, os esforços da Samsung para diminuir a tensão operacional e reduzir o ruído também ajudaram a fornecer essa solução otimizada.
Esses ainda são ICs de 16 Gb, então a Samsung não viajou mais longe em seu roteiro de densidade com esses chips DRAM. Em vez disso, os benefícios anunciados dizem respeito à eficiência de energia, velocidades e economia de wafer. Se você quiser alguns números, a Samsung especificou que os ICs DDR5 de 12nm reduzem o consumo de energia em 23% em comparação com a geração anterior e aumentam a produtividade do wafer em até 20%.
Isso significará módulos DDR5 mais rápidos?
Já mencionamos que os novos ICs DRAM oferecem uma velocidade de pino de 7,2 Gbps. A Samsung diz que, em teoria, isso significa que uma transferência DRAM para DRAM de dois filmes UHD de 30 GB pode ocorrer em cerca de um segundo. No entanto, deixa de destacar que este é o mesmo velocidade do pino como a anunciada para os ICs DRAM de 14 nm da geração anterior (abre em nova aba). Isso não exclui o potencial do DDR5 DRAM mais novo para talvez fazer um overclock melhor; para esta informação, teremos que esperar para ver.
A Samsung diz que já confirmou que os novos ICs DDR5 de 16 Gb (12nm) passaram por testes de compatibilidade para uso com sistemas AMD. Também está trabalhando em estreita colaboração com outras empresas não identificadas.