SK hynix disse na noite de quarta-feira que havia começado a produção em massa de seus dispositivos de memória NAND “4D” de 238 camadas (na verdade, uma forma de 3D) que prometem permitir SSDs de alto desempenho e alta capacidade. Os novos chips possuem uma taxa de transferência de dados de 2400 MT/s e podem ser usados para alimentar a próxima geração dos melhores SSDs, modelos de alta velocidade que apresentarão interfaces PCIe 5.0 x4 e oferecerão velocidade sequencial de leitura/gravação de 12 GB/s e mais alto.
Do ponto de vista de um entusiasta de PCs de desempenho, a principal vantagem do TLC NAND IC de 238 camadas da SK hynix é sua velocidade de interface de 2400 MT/s. Isso representa um aumento de 50% em relação à geração anterior e é algo necessário para criar SSDs com velocidades sequenciais de leitura/gravação de 12 GB/s e superiores, pois os dispositivos 3D NAND com uma interface de 1600 MT/s não podem permitir taxas de transferência para saturar um PCIe Interface Gen5 x4.
O primeiro dispositivo NAND 3D de 238 camadas da SK hynix é um dispositivo TLC 3D de 512 Gb (64 GB) que possui uma eficiência de fabricação 34% maior do que um dispositivo comparável fabricado no nó NAND 3D de 176 camadas da empresa, informou a empresa. Supondo que os rendimentos do 238L TLC NAND IC sejam altos, ele reduzirá significativamente — em até 34% — os custos de bits e, portanto, aumentará a competitividade de custo do dispositivo. Além de serem menores que os antecessores, os novos dispositivos reduzem o consumo de energia durante as leituras em 21%, o que é um benefício tanto para PCs móveis quanto para smartphones.
Típico para SK hynix, o dispositivo NAND de 238 camadas ostenta um design flash trap de carga (CTF) e emprega o layout periférico sob células (PUC) proprietário da empresa, um recurso que o fabricante rotula como NAND ‘4D’. Esse layout específico permite uma redução no tamanho dos dispositivos de memória, facilitando assim uma redução adicional de custos para o NAND da SK Hynix.
A SK hynix planeja usar primeiro a nova memória de 238 camadas para smartphones e depois expandir seu uso para o portfólio de outros produtos.
“SK hynix desenvolveu produtos de solução para smartphones e SSDs de clientes que são usados como dispositivos de armazenamento de PC, adotando a tecnologia NAND de 238 camadas e passou para a produção em massa em maio”, diz um comunicado da empresa. “Dado que a empresa garantiu competitividade de classe mundial em preço, desempenho e qualidade tanto para o NAND de 238 camadas quanto para o NAND de 176 camadas da geração anterior, esperamos que esses produtos impulsionem a melhoria dos ganhos no segundo semestre do ano.”