Hoje, TendênciaForce lançou luz sobre o futuro da tecnologia de memória de alta largura de banda (HBM), especialmente sobre o HBM4, que está programado para ser lançado em 2026. Essa nova tecnologia promete uma interface expandida para 2.048 bits e uma mudança significativa em sua arquitetura. A TrendForce afirma que o HBM4 irá se afastar das tradicionais tecnologias de DRAM padronizadas em direção a soluções mais personalizadas.
O HBM4 será o primeiro a usar uma tecnologia de processo lógico de 12 nm em sua matriz base, que agora será fabricada pelas fundições em vez dos fabricantes de DRAM. Esse desenvolvimento será resultado de uma colaboração entre fundições e fornecedores de memória, criando essencialmente uma relação simbiótica para avanços na tecnologia de memória de alta velocidade. O melhor desempenho e conjunto de recursos aprimorados do HBM4 está sendo desenvolvido para atender às demandas futuras de processadores de inteligência artificial (IA) e computação de alto desempenho (HPC) dos principais participantes do setor, como AMD, Nvidia e Intel.
A tendência apontada pela TrendForce em direção à customização no mercado HBM4 é identificada como um aspecto crucial. Isso representa uma mudança significativa em relação à abordagem tradicional e padronizada da DRAM commodity, sinalizando uma grande mudança na indústria. Os compradores estão cada vez mais interessados em especificações personalizadas e em explorar opções inovadoras, como empilhar HBM diretamente sobre os sistemas em chips (SoCs).
Espera-se que essa tendência na customização traga novas estratégias de design e preços para a indústria HBM. À medida que a tecnologia de memória se torna mais especializada e adaptada para atender necessidades específicas, abre caminho para uma nova era tecnológica na HBM, caracterizada pela inovação, especialização e afastamento da abordagem atual de tamanho único. Essa evolução para o HBM4 e além indica um cenário dinâmico e de rápido avanço na tecnologia de memória de alta velocidade.
Outro destaque do HBM4 é a transição das atuais pilhas de 12 camadas (12Hi) para pilhas mais avançadas de 16 camadas (16Hi), aumentando a capacidade do módulo de memória. Essa transição, prevista para ser concluída até 2027, exigirá o uso de novas técnicas de ligação híbrida para aumentar a contagem de camadas, mantendo a integridade das pilhas de memória.
No entanto, apesar da revolução que o HBM4 trará ao mercado de memória, ainda levará alguns anos para chegar. Como resultado, o HBM3E terá uma longa vida útil.