Lembra quando comprar um smartphone era uma tarefa fácil? Hoje em dia, para ser um consumidor informado, você precisa saber não apenas o nome do processador de aplicação (AP) que executa um dispositivo, mas também qual fundição produziu o chip e o nó do processo que foi usado. E então, depois de obter todas essas informações, você pode tentar descobrir quantos transistores existem naquele chipset. O chip tem uma configuração que aumenta a probabilidade de superaquecimento?
As respostas a essas perguntas podem ser a diferença entre comprar um telefone que combina perfeitamente ou que pode não ser para você. Você precisa de um telefone poderoso? Você precisa de um com ótima duração de bateria? Ou seu foco está nas câmeras (trocadilhos claramente intencionados) ou nos recursos de IA?
Do A8 biônico de 20 nm (2018) ao atual A17 Pro de 3 nm, a contagem de transistores cresceu de 4,3 bilhões para 19 bilhões
O biônico A11 de 20 nm alimentava a linha iPhone 8 de 2017 e carregava 4,3 bilhões de transistores
Discutimos frequentemente por que os entusiastas dos telefones gostam de saber coisas como o número de transistores dentro de um chip, conhecido como contagem de transistores. Tudo remonta ao nó do processo usado pela fundição para construir o chip. Quanto menor o número (por exemplo, 3 nm é menor que 5 nm), menor será o tamanho dos transistores. Transistores menores significam que mais podem caber dentro de um chip e isso aumenta a contagem de transistores. Quanto maior a contagem de transistores, mais poderoso e eficiente em termos energéticos é o chip.
TSMC, pela primeira vez, revela que seu nó de 1,4 nm seguirá 2 nm
O nó de processo de 1,4 nm será chamado de A14 pela TSMC e, embora a fundição não tenha anunciado publicamente uma data em que poderá iniciar a fabricação em alto volume (HVM) de 1,4 nm, com base nas perspectivas atuais para 2 nm, poderíamos estar olhando para 2027 ou 2028 antes do TSMC iniciar o HVM nesse nó.
Espera-se que os transistores usados com A14 continuem sendo do tipo Gate-All-Around (GAA), que cobre o canal em todos os quatro lados para reduzir o vazamento de corrente e aumentar a corrente do drive. Isso resulta em chips mais potentes com consumo de energia reduzido. A TSMC começará a usar transistores GAA em sua produção de 2 nm, enquanto a Samsung Foundry já os utiliza em seus chips de 3 nm.