De acordo com uma declaração feita pelo diretor do Parque Científico de Hsinchu, a TSMC deve começar a instalar equipamentos em sua fábrica com capacidade de 2 nm em abril de 2024, conforme relatado pelo LTN (através da @DanNystedt). Este é um desenvolvimento significativo para o projeto TSMC N2, pois a empresa nunca divulgou um cronograma exato para esta fábrica.
A mudança de equipamentos é um marco importante na construção de fábricas, levando geralmente um ano para ser concluída. No entanto, o processo N2 da TSMC requer várias ferramentas de litografia ultravioleta extrema (EUV) Twinscan NXE da ASML, o que demanda tempo para instalação e validação. Esta informação deve ser aceita com cautela, pois provém de fonte não oficial.
A menos que ocorra algo extraordinário, é esperado que a fábrica com capacidade N2 inicie sua operação no segundo semestre de 2025, exatamente quando a TSMC planeja iniciar a produção em alto volume (HVM).
O N2 da TSMC é um avanço significativo que utiliza o transistor de porta nanosheet da empresa, alcançando mais de 80% de suas especificações alvo dois anos antes de entrar no HVM. O rendimento médio de um IC de teste SRAM de 256 Mb é superior a 50%.
A primeira fábrica da TSMC para produção de N2 será localizada perto de Baoshan, no condado de Hsinchu, próximo ao centro de P&D R1 da empresa com foco em N2. Devido à complexidade do projeto, a fábrica com capacidade para A14 parece estar situada em outro local no Parque Científico de Kaohsiung. Este último é um forte candidato para a fábrica de 1,4 nm da TSMC, considerando sua capacidade e força de trabalho já existentes. Alternativamente, a TSMC pode considerar a expansão perto de Baoshan, onde já possui operações significativas, embora não esteja claro se há terreno suficiente disponível.