Na sexta-feira, a Intel anunciou que recebeu os primeiros componentes principais da ferramenta de litografia ultravioleta extrema (EUV) da ASML. As duas empresas começarão a montar a máquina em breve, já que a Intel espera ser a primeira empresa a usar equipamentos EUV de alto NA para produção em massa de chips nos próximos anos. A ferramenta usa uma lente de abertura numérica de 0,55 (High-NA), permitindo assim que os fabricantes de chips imprimam recursos menores nos processadores do que era possível anteriormente. Anteriormente, cobrimos o anúncio da ASML no mês passado de que ela havia começado a enviar a ferramenta para a Intel. “A Intel Oregon dá as boas-vindas aos principais componentes da tecnologia High-NA EUV fornecida pela ASML para ajudar a permitir a busca contínua e incansável da Lei de Moore”, disse uma declaração pela Intel lê. (Crédito da imagem: Intel)
A ferramenta de litografia Twinscan EXE da ASML é uma máquina enorme que é enviada em 250 caixas espalhadas por 13 contêineres de carga em 13 caminhões. A ASML enviou o primeiro contêiner de Veldhoven, na Holanda, em 21 de dezembro e agora a Intel o recebeu em sua unidade perto de Hillsboro, Oregon. Nos próximos meses, a ferramenta será montada na fábrica de pesquisa D1X Mod3 da Intel, onde os engenheiros da empresa aprenderão como usar a ferramenta para produzir chips usando a tecnologia de fabricação 18A da empresa. (Crédito da imagem: ASML)
As máquinas litográficas EUV de alto NA são equipadas com lentes de 0,55 NA (Alto NA) que podem atingir uma resolução de 8 nm, uma grande melhoria em relação às ferramentas EUV existentes – a lente 0,33 NA (Baixo NA) existente oferece uma resolução de 13 nm. A melhoria da resolução será crucial para tecnologias pós-2nm que exigem padrão duplo EUV de baixo NA ou padrão único EUV de alto NA. Espera-se que cada scanner EUV High-NA custe entre US$ 300 milhões e US$ 400 milhões. (Crédito da imagem: ASML)
A Intel começará a instalar a máquina Twinscan EXE:5000 que pode processar 150 wafers por hora (em uma dose de 30mJ/cm^2) com desempenho de sobreposição de máquina compatível