Segundo O Tempo da Coreia, a Samsung está desenvolvendo DRAM 3D de próxima geração no Vale do Silício, nos Estados Unidos, segundo fontes do setor. O laboratório responsável por esse desenvolvimento está localizado no Vale do Silício, sob a divisão “Device Solutions America”, ou DSA.
O objetivo do laboratório é desenvolver um novo modelo de DRAM que possibilitará à Samsung liderar o mercado global de DRAM 3D, conforme reportagem do Korea Times.
O termo “3D DRAM” refere-se à fabricação de DRAM com processo “3D”, o que permite aproveitar melhor as restrições físicas do hardware, empilhando matrizes e módulos de memória. A Samsung foi pioneira no NAND empilhado 3D (conhecido como V-NAND) para armazenamento SSD há mais de uma década.
A Samsung anunciou em outubro de 2023 que novas estruturas para DRAM sub-10nm permitirão capacidades maiores de chip único que podem exceder 100 gigabits. Isso sugere que as melhorias oferecidas pela DRAM 3D da Samsung são bastante promissoras.
O trabalho da Samsung em DRAM 3D pode aumentar significativamente a capacidade de memória. Embora a maioria dos PCs de consumo modernos possa não necessitar de mais DRAM, esse avanço beneficiará o mercado de computação em geral, especialmente operadores de servidores e entusiastas mais avançados.
Ainda não se sabe quão bem-sucedida e dominante a DRAM 3D da Samsung se tornará, nem quanto tempo levará para que essas soluções estejam disponíveis. No entanto, a notícia de que o laboratório da Samsung no Vale do Silício está trabalhando para impulsionar a próxima geração de fabricação de DRAM é promissora.