A memória HBM3E, com taxa de transferência de dados de 9,6 GT/s em uma interface de 1024 bits, entrou em produção em massa. Porém, as demandas das indústrias de inteligência artificial (IA) e computação de alto desempenho (HPC) estão crescendo rapidamente, então a memória HBM4, com interface de 2.048 bits, estará disponível em dois anos. Um vice-presidente da SK Hynix disse que sua empresa está no caminho certo para produzir HBM4 em massa até 2026, relata Coreia de negócios.
“Com o advento da era da computação de IA, a IA generativa está avançando rapidamente”, disse Chun-hwan Kim, vice-presidente da SK hynix, na SEMICON Coreia 2024. “Espera-se que o mercado de IA generativa cresça a uma taxa anual de 35 %.”
O rápido crescimento do mercado de IA generativa exige processadores de maior desempenho, que por sua vez necessitam de maior largura de banda de memória. Como resultado, o HBM4 será necessário para aumentar radicalmente o rendimento da DRAM. A SK Hynix espera começar a fabricar HBM de próxima geração até 2026, o que sugere o final de 2025. Isso corrobora um pouco o plano da Micron de disponibilizar o HBM4 no início de 2026.
Com uma taxa de transferência de dados de 9,6 GT/s, uma única pilha de memória HBM3E pode oferecer uma largura de banda de pico teórica de 1,2 TB/s, traduzindo-se em 7,2 TB/s de largura de banda para um subsistema de memória que consiste em seis pilhas. No entanto, essa largura de banda é teórica. Por exemplo, o H200 da Nvidia ‘apenas’ oferece até 4,8 TB/s com H200, talvez devido a questões de confiabilidade e energia.
De acordo com a Micron, o HBM4 usará uma interface de 2.048 bits para aumentar o pico teórico de largura de banda de memória por pilha para mais de 1,5 TB/s. Para chegar lá, o HBM4 precisará apresentar uma taxa de transferência de dados em torno de 6 GT/s, o que permitirá manter sob controle o consumo de energia da próxima geração de DRAM. Enquanto isso, uma interface de memória de 2.048 bits exigirá um roteamento muito sofisticado em um intermediário ou apenas a colocação de pilhas HBM4 no topo de um chip. Em ambos os casos, o HBM4 será mais caro que o HBM3 e o HBM3E.
O sentimento da SK Hynix em relação ao HBM4 parece ser compartilhado pela Samsung, que afirma estar no caminho certo para produzir o HBM4 em 2026. Curiosamente, a Samsung também está desenvolvendo soluções personalizadas de memória HBM para clientes selecionados.
“O HBM4 está em desenvolvimento com uma amostragem de 2025 e um cronograma de produção em massa para 2026”, disse Jaejune Kim, vice-presidente executivo de memória da Samsung, na última teleconferência de resultados com analistas e investidores (via ProcurandoAlfa). “A demanda por HBM também customizado está crescendo, impulsionada pela IA generativa e, por isso, também estamos desenvolvendo não apenas um produto padrão, mas também um HBM customizado e otimizado em termos de desempenho para cada cliente, adicionando chips lógicos. Especificações detalhadas estão sendo discutidas com os principais clientes.”