Esta semana, a ASML entregou sua ferramenta de litografia ultravioleta extrema (EUV) de 3ª geração, o Twinscan NXE:3800E, com uma lente de projeção com abertura numérica de 0,33. O sistema aumenta significativamente o desempenho em comparação com a máquina Twinscan NXE:3600D existente. Ele foi projetado para fabricar chips com tecnologias de ponta, incluindo 3nm, 2nm e pequenos nós nos próximos anos.
O ASML Twinscan NXE:3800E representa um avanço na litografia EUV de baixo NA em relação ao desempenho (o número de wafers processados por hora) e à sobreposição usinada correspondente. O novo sistema pode processar mais de 195 wafers por hora em uma dose de 30 mJ/cm^2 e promete um aumento adicional no desempenho para 220 wph com uma atualização de rendimento. Além disso, a nova ferramenta oferece uma sobreposição de máquina correspondente a menos de 1,1 nm (precisão de alinhamento do wafer).
“Os fabricantes de chips precisam de velocidade”, revelou ASML em comunicado publicado em X. “O primeiro Twinscan NXE:3800E está sendo instalado agora em uma fábrica de chips. Com seus novos estágios de wafer, o sistema oferecerá produtividade de ponta para impressão de chips avançados. Estamos levando a litografia a novos limites.”
O aumento da produtividade aumentará a eficiência econômica da máquina Twinscan NXE:3800E ao produzir chips em tecnologias de processo de classe 4nm/5nm e 3nm para fabricantes de lógica. Espera-se que o desempenho aprimorado do Twinscan NXE:3800E da ASML mitigue significativamente uma das principais desvantagens da tecnologia EUV, que é seu desempenho relativamente baixo, permitindo assim uma produção de chips mais eficiente e econômica. Isto tornará as tecnologias de processo que dependem do EUV mais acessíveis aos designers de chips com orçamentos que não são tão vastos como os da Apple, AMD, Intel, Nvidia e Qualcomm. Além disso, a ferramenta será crucial para fabricantes de memória como Micron, Samsung e SK Hynix.
Além disso, o desempenho aprimorado do Twinscan NXE:3800E será particularmente útil para fabricar chips em 2nm e classes subsequentes de tecnologias de fabricação que precisarão de padrão duplo EUV. As melhorias na sobreposição da máquina correspondente beneficiarão os nós de produção da classe sub-3nm.
No entanto, a sofisticação e as capacidades de máquinas como a NXE:3800E têm um custo substancial, com um preço de cerca de 180 milhões de dólares cada. Custos tão elevados significam que leva algum tempo para amortizar os custos destas ferramentas de litografia. No entanto, para a clientela da ASML, que compreende um seleto grupo de importantes empresas de fabricação de lógica e memória, o NXE:3800E oferece um caminho para reforçar suas capacidades de produção de chips de última geração. Isto é crucial para estas empresas, à medida que se esforçam para satisfazer a crescente procura global de semicondutores, expandir as suas capacidades de produção e gerir a economia do fabrico de chips. A introdução de scanners EUV mais avançados e eficientes, como o NXE:3800E, é fundamental para atingir esses objetivos.
Olhando para o futuro, a ASML não está descansando sobre os louros, com planos para mais inovação na forma do Twinscan NXE:4000F, outra geração de scanner EUV de baixa NA, com lançamento previsto para 2026. Este desenvolvimento contínuo ressalta o compromisso da ASML em avançar na baixa Tecnologia de fabricação -NA EUV, apesar da adoção iminente de ferramentas litográficas de alto NA.