De acordo com informações do Business Korea, a SK Hynix está desenvolvendo um novo tipo de memória que apresenta uma ampla interface e custos mais baixos em comparação com as soluções HBM.
A nova tecnologia utiliza embalagem fan-out 2.5D e tem potencial para ser utilizada em gráficos ou aplicativos móveis.
Essa inovação da SK Hynix consiste em unir dois dispositivos DRAM lado a lado, fundindo-os em um único chip por meio do método Fan-out Wafer-Level Packaging (FOWLP) 2.5D. Isso elimina a necessidade de uma camada extra abaixo dos dispositivos, resultando em chips mais finos e dispositivos de memória com interfaces mais amplas.
Essa abordagem representa uma mudança significativa em relação aos métodos convencionais de fabricação de chips de memória duplos ou múltiplos, demonstrando a busca da SK Hynix por técnicas mais modernas que possam combinar interfaces amplas e eficiência de custos.
Enquanto a memória GDDR6 e LPDDR5X moderna possui interfaces de 32 ou 64 bits, as pilhas HBM oferecem uma interface de 1024 bits, proporcionando uma largura de banda significativamente maior, apesar das taxas de transferência de dados mais baixas. No entanto, a construção de dispositivos de memória HBM é extremamente cara, devido à necessidade de empilhar vários dispositivos de memória, conectá-los por meio de TSVs (vias de silício), colocá-los em uma camada base e conectá-los a um processador host utilizando um interposer.
Por outro lado, a DRAM da SK Hynix construída com FOWLP 2.5D ignora TSVs e interpositores, resultando em um custo consideravelmente reduzido. A memória resultante apresenta uma interface relativamente ampla (presumivelmente de pelo menos 128 bits) e, portanto, uma maior largura de banda por chip.
De acordo com o relatório, a principal motivação da SK Hynix para adotar essa nova abordagem de embalagem é reduzir custos, o que torna o novo tipo de memória relativamente acessível. Embora os custos exatos não sejam mencionados, é possível inferir que serão superiores aos do LPDDR e GDDR, mas ainda assim muito inferiores aos do HBM.
Uma questão importante é se as DRAMs Fan-out 2.5D da SK Hynix são compatíveis com aplicativos existentes. Aparentemente, no início, os produtos de memória serão utilizados para dispositivos muito específicos, alinhados à estratégia da empresa de fabricar dispositivos de memória mais especializados e produzidos em quantidades menores.